[1]吴本南,叶 锐.封装壳体对高功率器件散热特性影响研究[J].机械与电子,2020,(02):21-24.
　.Study of the Heat Transfer Characteristics of T/R Shell to High Powered GaN Device[J].Machinery & Electronics,2020,(02):21-24.
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封装壳体对高功率器件散热特性影响研究()
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机械与电子[ISSN:1001-2257/CN:52-1052/TH]

卷:
期数:
2020年02期
页码:
21-24
栏目:
设计与研究
出版日期:
2020-02-24

文章信息/Info

Title:
Study of the Heat Transfer Characteristics of T/R Shell to High Powered GaN Device
文章编号:
1001-2257(2020)02-0021-04
作者:
吴本南; 叶 锐
中国电子科技集团公司第三十八研究所，安徽 合肥 ２３００８８
Author(s):
ＷＵＢｅｎｎａｎ; ＹＥＲｕｉ
Ｎｏ．３８ＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＣＥＴＣ，Ｈｅｆｅｉ２３００８８，Ｃｈｉｎａ
关键词:
：热阻; 散热; Ｔ／Ｒ组件
Keywords:
ｔｈｅｒｍａｌｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ; ｈｅａｔｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ; Ｔ／Ｒ ｍｏｄｕｌｅ
分类号:
TK172
文献标志码:
A
摘要:
：针对 Ｔ／Ｒ组件典型封装结构，分析了冷板构型和壳体厚度等参数对组件热性能的影响。结果 表明，当壳体厚度大于１．５ｍｍ 时，当壳体热阻成为影响散热的主要因素，且通过加入高导热材料可以有效 提升芯片和组件的散热能力。
Abstract:
Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｔｈｅｃｏｎｓｔｒｕｃｔｏｆｔｈｅｃｏｌｄ ｐｌａｔｅａｎｄｔｈｅｔｈｉｃｋｎｅｓｓｏｆｔｈｅＴ／Ｒ ｓｈｅｌｌｉｓｓｔｕｄｉｅｄｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｔｙｐｉｃａｌｐａｃｋａｇｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｔｈｅｒｍａｌｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｏｆｔｈｅ Ｔ／Ｒｓｈｅｌｌｂｅｃｏｍｅｓｔｈｅｍａｊｏｒｆａｃｔｏｒｉｎｉｎｆｌｕｅｎｃｉｎｇｔｈｅｔｈｅｒｍａｌｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｗｈｅｎｉｔｓｔｈｉｃｋｎｅｓｓｉｓｌａｒｇｅｒ ｔｈａｎ１．５ｍｍ．Ａｌｓｏ，ｗｅｐｒｏｐｏｓｅｄａｆｅａｓｉｂｌｅｗａｙｔｈａｔｕｔｉｌｉｚｉｎｇｈｅａｔｓｐｒｅａｄｉｎｇｍａｔｅｒｉａｌｉｎｔｈｅｍｏｄｕｌｅｔｏｉｍ ｐｒｏｖｅｔｈｅｔｈｅｒｍａｌｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ．

参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期：２０１９- １０- １８ 作者简介：吴本南 （１９６４－），男，安徽芜湖人，高级工程师，研究方向为结构、电子元器件热控设计。
更新日期/Last Update: 2020-03-11